用丝网印刷工艺将其均匀地涂覆在抗蚀干膜层之上

　　F膜的腐蚀成形原理通常腐蚀SnO2的方法有：SnO2为阴极、Al为阳极的电化学腐蚀法；H2SO4和H2O2的溅射腐蚀法；CF4等离子体腐蚀法。这些方法或需要真空环境，或腐蚀慢，也不适用大面积腐蚀成形。我们采用酸溶液加锌粉末法来腐蚀SnO2：F膜。在1mm厚SnO2：F玻璃上贴抗蚀干膜，经曝光、显影形成所要的图形。用稀释的粘接剂与锌粉按一定比例混合，用丝网印刷工艺将其均匀地涂覆在抗蚀干膜层之上，待其自然干燥后，将其放入一定比例的盐酸溶液中进行腐蚀。

　　用NaOH溶液去膜即得到所要的SnO2图形。锌粉与盐酸反应生成氢原子，氢原子将二氧化锡中锡还原成锡原子，而锡原子再与过量的盐酸反应生成四氯化锡，溶于溶液中。用万用表测量干膜保护处，电阻为二氧化锡制备后的原值；用万用表测量干膜未保护处，电阻大于20.8，从而证明SnO2：F膜已被完全去掉。所得到的图形边缘整齐，无针孔。非晶硅太阳电池的制作非晶硅的制作方法有辉光放电法、反应溅射法、低压化学气相沉积法、电子束蒸发法、热分解硅烷法等，使用*广泛的方法是辉光放电法。

　　在抽真空的容器中，充入由氢气或氩气稀释的硅烷，射频电源用电容或电感耦合方式加在反应器外侧的电极上，使SiH4电离，形成等离子体。非晶硅膜沉积在被加热了的衬底上。若硅烷中混入适当比例的PH3或B2H6，便可得到n型或p型非晶硅膜。在高真空容器中蒸发一层平面结构的铝电极，丝印腐蚀铝成形，涂背面保护油墨，即制成了外连式非晶硅太阳电池。

(完)